2015年9月9日，在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”在北京国际会议中心举行了成立大会。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC为代表的新型半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的等优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等重点产业发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
第三代半导体材料及器件的突破将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。美、日、欧、韩等发达国家高度重视并已部署国家相关计划抢占战略制高点。我国政府也十分重视第三代半导体材料与及器件的研发与及产业化，在科技部等部委的持续部署支持下，我国材料研发的整体水平与国际上差距不大，半导体照明作为在第三代半导体的材料首个第一个产业化的应用方向方面——半导体照明已经在关键技术上实现突破，创新应用处于国际领先水平；此外，在第三代半导体电子器件应用方面，在移动通讯、光伏逆变、雷达等领域已有少量示范应用。
第三代半导体产业技术创新战略联盟的成立，对推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展具有重要意义。联盟将发起的目的主要是围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业群，形成全国一盘棋的发展合力，抓住换道超车的历史性机遇，形成全国一盘棋的发展合力，实现创新驱动发展，抢占在国际第三代半导体上抢占产业发展制高点，重构全球半导体产业格局。
